- metal-organic vapor-phase epitaxy
- Макаров: металлоорганическая газофазная эпитаксия
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
metal-organic vapor-phase epitaxy
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Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… … Wikipedia
MOVPE — Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (Academic & Science » Electronics) … Abbreviations dictionary
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemische Gasphasenabscheidung — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapour deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen und… … Deutsch Wikipedia
Epitaktisch — Epitaxie (v. griech. „epi“ „auf“, „über“ und „taxis“ im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, bei welcher die kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) derjenigen… … Deutsch Wikipedia
Epitaxie — (von griechisch epi „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn… … Deutsch Wikipedia
Metalorganic chemical vapor deposition — (MOCVD) is a chemical vapor deposition process that uses metalorganic source gases. For instance, MOCVD may use tantalum ethoxide (Ta(OC 2H 5) 5), to create tantalum pentoxide (Ta 2O 5), or Tetrakis Dimethyl Amino Titanium(IV) (TDMAT) to create… … Wikipedia
AlGaAs — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… … Deutsch Wikipedia
Aluminium-Gallium-Arsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… … Deutsch Wikipedia
